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篮球比分直播:SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片 年内完成批量生产

时间:2019/10/21 15:41:46   作者:   来源:   阅读:28   评论:0
内容摘要:10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。  图片来自SK海力士官网  与上一代1Y产品相比,该产...
    10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

  图片来自SK海力士官网

  与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。

  新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

  第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

  接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

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